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codice articolo del costruttore | RF80E331MDN1 |
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Numero di parte futuro | FT-RF80E331MDN1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FPCAP, RF8 |
RF80E331MDN1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Polymer |
Capacità | 330µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 2.5V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 7 mOhm |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 420mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 4.2A @ 100kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.079" (2.00mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.354" (9.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF80E331MDN1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF80E331MDN1-FT |
RS60E561MCN1
Nichicon
RS61A151MCN1
Nichicon
RS61C101MCS1
Nichicon
RS61C101MCS1JT
Nichicon
RS61E330MCN1
Nichicon
RHS0J102MCN1GS
Nichicon
RHS0J821MCN1GS
Nichicon
RHS0E152MCN1GS
Nichicon
RHS0G152MCN1GS
Nichicon
RHS0E821MCN1GS
Nichicon
XC3S1000L-4FTG256C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
M1A3P250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10CX105YU484E5G
Intel
EP4CE22E22I7
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQI240-2
Intel