casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RF1601NS2DFHTL
codice articolo del costruttore | RF1601NS2DFHTL |
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Numero di parte futuro | FT-RF1601NS2DFHTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RF1601NS2DFHTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | LPDS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF1601NS2DFHTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF1601NS2DFHTL-FT |
DAP202UT106
Rohm Semiconductor
DAN222MT2L
Rohm Semiconductor
DA221MT2L
Rohm Semiconductor
RB715ZT2L
Rohm Semiconductor
DAN222MFHT2L
Rohm Semiconductor
DAP222MFHT2L
Rohm Semiconductor
DAP222MT2L
Rohm Semiconductor
RB731XNFHTR
Rohm Semiconductor
DAN217UMFHTL
Rohm Semiconductor
DAN217UMTL
Rohm Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel