casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RF101L2SDDTE25
codice articolo del costruttore | RF101L2SDDTE25 |
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Numero di parte futuro | FT-RF101L2SDDTE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RF101L2SDDTE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 870mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF101L2SDDTE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF101L2SDDTE25-FT |
RB160M-40TR
Rohm Semiconductor
RB160M-60TR
Rohm Semiconductor
RB160M-90TR
Rohm Semiconductor
RB160MM-30TR
Rohm Semiconductor
RB160MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB160MM-50TR
Rohm Semiconductor
RB162M-30TR
Rohm Semiconductor
RB162M-40TR
Rohm Semiconductor
RB162M-60TR
Rohm Semiconductor
RB168M-40TR
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation