casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RF1005TF6S
codice articolo del costruttore | RF1005TF6S |
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Numero di parte futuro | FT-RF1005TF6S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF1005TF6S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220NFM |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF1005TF6S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF1005TF6S-FT |
1N5552C.TR
Semtech Corporation
1N5554C.TR
Semtech Corporation
1N5617C.TR
Semtech Corporation
1N4942C.TR
Semtech Corporation
SS0503EC-TR-H
ON Semiconductor
RB521CS-30T2RA
Rohm Semiconductor
1SS400CSFHT2RA
Rohm Semiconductor
1SS400CST2RA
Rohm Semiconductor
RB520CS-30T2RA
Rohm Semiconductor
RB521CM-30T2R
Rohm Semiconductor
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel