casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RF071M2STR
codice articolo del costruttore | RF071M2STR |
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Numero di parte futuro | FT-RF071M2STR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF071M2STR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 700mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDU |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF071M2STR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF071M2STR-FT |
RB160MM-60TR
Rohm Semiconductor
RB161MM-20TR
Rohm Semiconductor
RBR1MM60ATR
Rohm Semiconductor
RF071MM2STR
Rohm Semiconductor
RR268MM-600TR
Rohm Semiconductor
RB051MM-2YTR
Rohm Semiconductor
RB060MM-60TR
Rohm Semiconductor
RBR2MM30ATR
Rohm Semiconductor
RSX101MM-30TR
Rohm Semiconductor
RB068MM-30TFTR
Rohm Semiconductor
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel