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Rohm Semiconductor RDR005N25TL

Numero parte MFG
RDR005N25TL
quantità disponibile
67500 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.17632
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RDR005N25TL specificazioni

codice articolo del costruttore RDR005N25TL
Numero di parte futuro FT-RDR005N25TL
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RDR005N25TL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TSMT3
Pacchetto / caso SC-96
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDR005N25TL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RDR005N25TL-FT

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