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codice articolo del costruttore | RDE5C2A821J0P1H03B |
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Numero di parte futuro | FT-RDE5C2A821J0P1H03B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RDE |
RDE5C2A821J0P1H03B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 820pF |
Tolleranza | ±5% |
Tensione: nominale | 100V |
Coefficiente di temperatura | C0G, NP0 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Caratteristiche | - |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Tasso di fallimento | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Dimensione / Dimensione | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.236" (6.00mm) |
Spessore (max) | - |
Lead Spacing | 0.098" (2.50mm) |
Stile di piombo | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDE5C2A821J0P1H03B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RDE5C2A821J0P1H03B-FT |
RHE5G2A151J1K1A03B
Murata Electronics North America
RHE5G2A181J1K1A03B
Murata Electronics North America
RHE5G2A221J1K1A03B
Murata Electronics North America
RHE5G2A271J1K1A03B
Murata Electronics North America
RHE5G2A331J1K1A03B
Murata Electronics North America
RHE5G2A391J1K1A03B
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RHE5G2A471J1K1A03B
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RHE5G2A561J1K1A03B
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RHE5G2A681J1K1A03B
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RHE5G2A821J1K1A03B
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AGLN015V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel