casa / prodotti / filtri / Induttanze in modalità comune / RD5132-10-3M0
codice articolo del costruttore | RD5132-10-3M0 |
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Numero di parte futuro | FT-RD5132-10-3M0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RD |
RD5132-10-3M0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di filtro | Power Line |
Numero di linee | 3 |
Impedenza @ Frequenza | - |
Induttanza @ Frequenza | 3mH @ 400Hz |
Corrente nominale (max) | 10A (Typ) |
Resistenza DC (DCR) (Max) | 17.6 mOhm (Typ) |
Tensione nominale - CC | 850V |
Tensione nominale - CA. | 600V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 110°C |
Giudizi | - |
approvazioni | - |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Dimensione / Dimensione | 1.969" L x 1.969" W (50.00mm x 50.00mm) |
Altezza (max) | 1.398" (35.50mm) |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RD5132-10-3M0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RD5132-10-3M0-FT |
ACM-21-670M-T
Abracon LLC
ACM-21H-121-T
Abracon LLC
ACM-21H-670-T
Abracon LLC
ACM-21H-900-T
Abracon LLC
ACM-21U-900-T
Abracon LLC
ACM-21-161M-T
Abracon LLC
ACM-21-201M-T
Abracon LLC
ACM-21-221M-T
Abracon LLC
ACM-21-261M-T
Abracon LLC
ACM-21-300M-T
Abracon LLC
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
XC2V80-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5AGZME7H2F35C3N
Intel
XC7A50T-2CSG324C
Xilinx Inc.
EP3SL150F780C3
Intel
EP1S60F1020C6
Intel