casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RC2012F2610CS
codice articolo del costruttore | RC2012F2610CS |
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Numero di parte futuro | FT-RC2012F2610CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RC |
RC2012F2610CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 261 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.66mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RC2012F2610CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RC2012F2610CS-FT |
RC2012F1R21CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R24CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R27CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R2CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R33CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R37CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R3CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R40CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R43CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012F1R47CS
Samsung Electro-Mechanics
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel