casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RBR3MM60ATR
codice articolo del costruttore | RBR3MM60ATR |
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Numero di parte futuro | FT-RBR3MM60ATR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RBR3MM60ATR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDU |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBR3MM60ATR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RBR3MM60ATR-FT |
RB162MM-60TR
Rohm Semiconductor
RF081MM2STR
Rohm Semiconductor
RB160MM-60TR
Rohm Semiconductor
RB161MM-20TR
Rohm Semiconductor
RBR1MM60ATR
Rohm Semiconductor
RF071MM2STR
Rohm Semiconductor
RR268MM-600TR
Rohm Semiconductor
RB051MM-2YTR
Rohm Semiconductor
RB060MM-60TR
Rohm Semiconductor
RBR2MM30ATR
Rohm Semiconductor
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel