casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RBR20BM40AFHTL
codice articolo del costruttore | RBR20BM40AFHTL |
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Numero di parte futuro | FT-RBR20BM40AFHTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RBR20BM40AFHTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 360µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBR20BM40AFHTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RBR20BM40AFHTL-FT |
85CNQ015SMS2
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86CNQ200SM
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EX128-FTQ64
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EP1K10TC144-2
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XC3S200-4FT256I
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XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
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