casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB751S-40TE61
codice articolo del costruttore | RB751S-40TE61 |
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Numero di parte futuro | FT-RB751S-40TE61 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB751S-40TE61 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB751S-40TE61 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB751S-40TE61-FT |
RB068L100TE25
Rohm Semiconductor
RB068L150TE25
Rohm Semiconductor
RB080L-30TE25
Rohm Semiconductor
RB081L-20TE25
Rohm Semiconductor
RB083L-20TE25
Rohm Semiconductor
RB150M-30TR
Rohm Semiconductor
RB151L-40TE25
Rohm Semiconductor
RB160L-40TE25
Rohm Semiconductor
RB160L-60TE25
Rohm Semiconductor
RB160L-90TE25
Rohm Semiconductor
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel