casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RB550EAFHTR
codice articolo del costruttore | RB550EAFHTR |
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Numero di parte futuro | FT-RB550EAFHTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB550EAFHTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 700mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10.7ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMD5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB550EAFHTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB550EAFHTR-FT |
83CNQ080SMS2
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AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel