casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB521S30T5G
codice articolo del costruttore | RB521S30T5G |
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Numero di parte futuro | FT-RB521S30T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB521S30T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB521S30T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB521S30T5G-FT |
FFSPF2065A
ON Semiconductor
MSRF1560G
ON Semiconductor
MURF860G
ON Semiconductor
MURF1560G
ON Semiconductor
RD0506LS-SB-1H
ON Semiconductor
MURF550PFG
ON Semiconductor
NHPJ08S600G
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UD2006FR
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BAT54M3T5G
ON Semiconductor
BAS16M3T5G
ON Semiconductor
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel