casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB510VM-40FHTE-17
codice articolo del costruttore | RB510VM-40FHTE-17 |
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Numero di parte futuro | FT-RB510VM-40FHTE-17 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB510VM-40FHTE-17 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 480mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB510VM-40FHTE-17 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB510VM-40FHTE-17-FT |
RR2L6SDDTE25
Rohm Semiconductor
1SR154-400TE25
Rohm Semiconductor
1SR154-400TE25A
Rohm Semiconductor
1SR154-600TE25
Rohm Semiconductor
1SR156-400TE25
Rohm Semiconductor
1SR159-200TE25
Rohm Semiconductor
RB050L-40TE25
Rohm Semiconductor
RB050L-60DDTE25
Rohm Semiconductor
RB050L-60TE25
Rohm Semiconductor
RB051L-40TE25
Rohm Semiconductor
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel