casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB162L-60TE25
codice articolo del costruttore | RB162L-60TE25 |
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Numero di parte futuro | FT-RB162L-60TE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB162L-60TE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB162L-60TE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB162L-60TE25-FT |
RBR2MM30ATR
Rohm Semiconductor
RSX101MM-30TR
Rohm Semiconductor
RB068MM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB068MM-40TFTR
Rohm Semiconductor
RB068MM-60TFTR
Rohm Semiconductor
RB068MM-60TR
Rohm Semiconductor
RB070MM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB162MM-30TR
Rohm Semiconductor
RB162MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB168MM-40TR
Rohm Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel