casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / RB157-BP
codice articolo del costruttore | RB157-BP |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RB157-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB157-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Circular, RB-15 |
Pacchetto dispositivo fornitore | RB-15 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB157-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB157-BP-FT |
MSDM75-16
Microsemi Corporation
MSDM200-16
Microsemi Corporation
MSDM100-16
Microsemi Corporation
MSDM100-12
Microsemi Corporation
MSD52-08
Microsemi Corporation
MSD52-12
Microsemi Corporation
MSD52-16
Microsemi Corporation
MSD75-08
Microsemi Corporation
MSD75-12
Microsemi Corporation
MSD75-16
Microsemi Corporation
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation