casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RB088BGE150TL
codice articolo del costruttore | RB088BGE150TL |
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Numero di parte futuro | FT-RB088BGE150TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB088BGE150TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 5A |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252GE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB088BGE150TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB088BGE150TL-FT |
89CNQ135SM
SMC Diode Solutions
89CNQ150SM
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80CNQ045SL
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XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel