casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB088B150TL
codice articolo del costruttore | RB088B150TL |
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Numero di parte futuro | FT-RB088B150TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
RB088B150TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB088B150TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB088B150TL-FT |
R714
Microsemi Corporation
R714X
Microsemi Corporation
R716
Microsemi Corporation
R716X
Microsemi Corporation
R7202606XXOO
Powerex Inc.
R7202806XXOO
Powerex Inc.
R7203006XXOO
Powerex Inc.
R7203506XXOO
Powerex Inc.
R7204006XXOO
Powerex Inc.
R7204406XXOO
Powerex Inc.
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel