codice articolo del costruttore | RA 13 |
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Numero di parte futuro | FT-RA 13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RA 13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 360mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA 13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RA 13-FT |
R7013403XXUA
Powerex Inc.
R7013603XXUA
Powerex Inc.
R7013803XXUA
Powerex Inc.
R7014003XXUA
Powerex Inc.
R7014203XXUA
Powerex Inc.
R7014403XXUA
Powerex Inc.
R702
Microsemi Corporation
R704
Microsemi Corporation
R706
Microsemi Corporation
R711X
Microsemi Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel