casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R9G01218XX
codice articolo del costruttore | R9G01218XX |
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Numero di parte futuro | FT-R9G01218XX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9G01218XX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1800A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G01218XX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R9G01218XX-FT |
R7201209XXOO
Powerex Inc.
R7201212XXOO
Powerex Inc.
R7201406XXOO
Powerex Inc.
R7201409XXOO
Powerex Inc.
R7201606XXOO
Powerex Inc.
R7201609XXOO
Powerex Inc.
R7201806XXOO
Powerex Inc.
R7201809XXOO
Powerex Inc.
R7202006XXOO
Powerex Inc.
R7202009XXOO
Powerex Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel