casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R9G01018XX
codice articolo del costruttore | R9G01018XX |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-R9G01018XX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9G01018XX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1800A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150mA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G01018XX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R9G01018XX-FT |
R7201012XXOO
Powerex Inc.
R7201206XXOO
Powerex Inc.
R7201209XXOO
Powerex Inc.
R7201212XXOO
Powerex Inc.
R7201406XXOO
Powerex Inc.
R7201409XXOO
Powerex Inc.
R7201606XXOO
Powerex Inc.
R7201609XXOO
Powerex Inc.
R7201806XXOO
Powerex Inc.
R7201809XXOO
Powerex Inc.
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel