casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R7S01212XX
codice articolo del costruttore | R7S01212XX |
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Numero di parte futuro | FT-R7S01212XX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R7S01212XX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AA, A-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AA, R62 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R7S01212XX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R7S01212XX-FT |
R7011203XXUA
Powerex Inc.
R7011204XXUA
Powerex Inc.
R7011205XXUA
Powerex Inc.
R7011403XXUA
Powerex Inc.
R7011404XXUA
Powerex Inc.
R7011603XXUA
Powerex Inc.
R7011604XXUA
Powerex Inc.
R7011803XXUA
Powerex Inc.
R7011804XXUA
Powerex Inc.
R7012003XXUA
Powerex Inc.
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel