casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R7011005XXUA
codice articolo del costruttore | R7011005XXUA |
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Numero di parte futuro | FT-R7011005XXUA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R7011005XXUA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 550A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AA, A-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AA, R62 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R7011005XXUA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R7011005XXUA-FT |
R6031222PSYA
Powerex Inc.
R6031225HSYA
Powerex Inc.
R6031235ESYA
Powerex Inc.
R6031425HSYA
Powerex Inc.
R6031435ESYA
Powerex Inc.
R6200230XXOO
Powerex Inc.
R6200240XXOO
Powerex Inc.
R6200250XXOO
Powerex Inc.
R6200430XXOO
Powerex Inc.
R6200440XXOO
Powerex Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel