casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6031025HSYA
codice articolo del costruttore | R6031025HSYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6031025HSYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6031025HSYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6031025HSYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6031025HSYA-FT |
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
JANTX1N5807
Microsemi Corporation
JANTX1N5807US
Microsemi Corporation
JANTX1N5809
Microsemi Corporation
JANTX1N5809US
Microsemi Corporation
JANTX1N6074
Microsemi Corporation
JANTXV1N6638
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel