casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6031025HSYA
codice articolo del costruttore | R6031025HSYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6031025HSYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6031025HSYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6031025HSYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6031025HSYA-FT |
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
JANTX1N5807
Microsemi Corporation
JANTX1N5807US
Microsemi Corporation
JANTX1N5809
Microsemi Corporation
JANTX1N5809US
Microsemi Corporation
JANTX1N6074
Microsemi Corporation
JANTXV1N6638
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel