casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6030KNXC7
codice articolo del costruttore | R6030KNXC7 |
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Numero di parte futuro | FT-R6030KNXC7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6030KNXC7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030KNXC7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6030KNXC7-FT |
IXTY1R6N50P
IXYS
IXTY24N15T
IXYS
IXTY2N100P
IXYS
IXTY2N60P
IXYS
IXTY2N80P
IXYS
IXTY2R4N50P
IXYS
IXTY3N50P
IXYS
IXTY3N60P
IXYS
IXTY4N60P
IXYS
IXTY50N085T
IXYS
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.