casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6030425HSYA
codice articolo del costruttore | R6030425HSYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6030425HSYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6030425HSYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030425HSYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6030425HSYA-FT |
JANTX1N5418US
Microsemi Corporation
JANTX1N5420US
Microsemi Corporation
JANTX1N5553US
Microsemi Corporation
JANTX1N5554
Microsemi Corporation
JANTX1N5616
Microsemi Corporation
JANTX1N5618US
Microsemi Corporation
JANTX1N5619US
Microsemi Corporation
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel