casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6030225HSYA
codice articolo del costruttore | R6030225HSYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6030225HSYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6030225HSYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030225HSYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6030225HSYA-FT |
JANTX1N5416US
Microsemi Corporation
JANTX1N5417
Microsemi Corporation
JANTX1N5417US
Microsemi Corporation
JANTX1N5418US
Microsemi Corporation
JANTX1N5420US
Microsemi Corporation
JANTX1N5553US
Microsemi Corporation
JANTX1N5554
Microsemi Corporation
JANTX1N5616
Microsemi Corporation
JANTX1N5618US
Microsemi Corporation
JANTX1N5619US
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation