casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6020ENZ1C9
codice articolo del costruttore | R6020ENZ1C9 |
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Numero di parte futuro | FT-R6020ENZ1C9 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6020ENZ1C9 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020ENZ1C9 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6020ENZ1C9-FT |
ATP202-TL-H
ON Semiconductor
NVATS5A106PLZT4G
ON Semiconductor
ATP102-TL-H
ON Semiconductor
ATP107-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-V-TL-H
ON Semiconductor
ATP203-TL-H
ON Semiconductor
ATP204-TL-H
ON Semiconductor
ATP206-TL-H
ON Semiconductor
ATP207-S-TL-H
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel