casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6020835ESYA
codice articolo del costruttore | R6020835ESYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6020835ESYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6020835ESYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 350A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020835ESYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6020835ESYA-FT |
HT16G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT17G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT17G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT18G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
JANTX1N4944
Microsemi Corporation
JANTX1N5186
Microsemi Corporation
JANTX1N5187
Microsemi Corporation
JANTX1N5188
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation