casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6020822PSYA
codice articolo del costruttore | R6020822PSYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6020822PSYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6020822PSYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 220A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.75V @ 800A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020822PSYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6020822PSYA-FT |
HT15G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT15G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT17G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT17G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT18G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
JANTX1N4944
Microsemi Corporation
JANTX1N5186
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel