casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6020625HSYA
codice articolo del costruttore | R6020625HSYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6020625HSYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6020625HSYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020625HSYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6020625HSYA-FT |
HT14G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT15G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT15G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT15G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT16G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT17G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT17G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT18G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel