casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6011025XXYA
codice articolo del costruttore | R6011025XXYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6011025XXYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6011025XXYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6011025XXYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6011025XXYA-FT |
HER603G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER603G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel