casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R5110610XXWA
codice articolo del costruttore | R5110610XXWA |
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Numero di parte futuro | FT-R5110610XXWA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R5110610XXWA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 470A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 7µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5110610XXWA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R5110610XXWA-FT |
R2520
Microsemi Corporation
R2540
Microsemi Corporation
R2560
Microsemi Corporation
R2580
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R304100
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R304120
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R30420
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R30440
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R30460
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R30480
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AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
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EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
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LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
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EPF6016QC208-2N
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EP4SGX110FF35C4
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