casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R5011215XXWA
codice articolo del costruttore | R5011215XXWA |
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Numero di parte futuro | FT-R5011215XXWA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R5011215XXWA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 470A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 7µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30mA @ 1600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5011215XXWA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R5011215XXWA-FT |
1N5314-1
Microsemi Corporation
1N5314UR-1
Microsemi Corporation
1N7048-1
Microsemi Corporation
1N7049-1
Microsemi Corporation
1N7050-1
Microsemi Corporation
1N7051-1
Microsemi Corporation
1N7052-1
Microsemi Corporation
1N7053-1
Microsemi Corporation
1N7054-1
Microsemi Corporation
1N7055-1
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel