casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R42160TS
codice articolo del costruttore | R42160TS |
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Numero di parte futuro | FT-R42160TS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
R42160TS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R42160TS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R42160TS-FT |
QRS0680T30
Powerex Inc.
QRS1240T30
Powerex Inc.
QRS1260T30
Powerex Inc.
QRS1420T30
Powerex Inc.
QRS1440T30
Powerex Inc.
QRS1450001
Powerex Inc.
QRS1460T30
Powerex Inc.
QRS4506001
Powerex Inc.
QRS4506002
Powerex Inc.
R20100
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel