codice articolo del costruttore | R3660 |
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Numero di parte futuro | FT-R3660 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
R3660 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R3660 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R3660-FT |
PMEG4005AEA/8X
Nexperia USA Inc.
PMEG4005AEA/M5X
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEJ/ZLF
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEJ/ZLX
Nexperia USA Inc.
PR1501S-A
Diodes Incorporated
PR1501S-B
Diodes Incorporated
PR1502S-A
Diodes Incorporated
PR1502S-B
Diodes Incorporated
PR1503S-A
Diodes Incorporated
PR1503S-B
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel