codice articolo del costruttore | R30620 |
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Numero di parte futuro | FT-R30620 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
R30620 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R30620 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R30620-FT |
NRVS3BB
ON Semiconductor
NRVS3DB
ON Semiconductor
NRVS3GB
ON Semiconductor
NRVS3JB
ON Semiconductor
NRVS3KB
ON Semiconductor
NRVS3MB
ON Semiconductor
NSD914XV2T5G
ON Semiconductor
NSR05201MX4T5G
ON Semiconductor
NSR05402NXT5G
ON Semiconductor
NSRLL30XV2T5G
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel