codice articolo del costruttore | R2160 |
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Numero di parte futuro | FT-R2160 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
R2160 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 30A |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R2160 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R2160-FT |
MURS140T3H
ON Semiconductor
MURS160T3H
ON Semiconductor
MURS320T3H
ON Semiconductor
MURS340SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360T3H
ON Semiconductor
N6051D
Diodes Incorporated
N6075D
Diodes Incorporated
N6180D
Diodes Incorporated
N6200D
Diodes Incorporated
N6270D
Diodes Incorporated
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel