codice articolo del costruttore | R21140 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-R21140 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
R21140 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R21140 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R21140-FT |
MURA160T3H
ON Semiconductor
MURF860H
ON Semiconductor
MURH7060R
GeneSiC Semiconductor
MURS120T3H
ON Semiconductor
MURS140T3H
ON Semiconductor
MURS160T3H
ON Semiconductor
MURS320T3H
ON Semiconductor
MURS340SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360T3H
ON Semiconductor
N6051D
Diodes Incorporated
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel