casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1RP0416DSB-2PI#D1
codice articolo del costruttore | R1RP0416DSB-2PI#D1 |
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Numero di parte futuro | FT-R1RP0416DSB-2PI#D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1RP0416DSB-2PI#D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RP0416DSB-2PI#D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1RP0416DSB-2PI#D1-FT |
PC28F256G18AF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256J3F95B TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWHD
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLD
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2F TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFB TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel