casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1RP0416DSB-2LR#D1
codice articolo del costruttore | R1RP0416DSB-2LR#D1 |
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Numero di parte futuro | FT-R1RP0416DSB-2LR#D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1RP0416DSB-2LR#D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RP0416DSB-2LR#D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1RP0416DSB-2LR#D1-FT |
PC28F128P33TF60E TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256J3F95B TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWHD
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLD
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2E
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel