casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1LV0816ABG-7SI#B0
codice articolo del costruttore | R1LV0816ABG-7SI#B0 |
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Numero di parte futuro | FT-R1LV0816ABG-7SI#B0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LV0816ABG-7SI#B0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FBGA (7.5x8.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LV0816ABG-7SI#B0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1LV0816ABG-7SI#B0-FT |
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
HYB25D512800CE-5
Sharp Microelectronics
HYB25D128800CE-6
NXP USA Inc.
HYB18T1G800BF-3S
Macronix
FM22LD16-55-BGTR WE
Winbond Electronics
CAT28C16AG-20T
ON Semiconductor
CAT28C16AG20
ON Semiconductor
CAT28C16AGI-12T
ON Semiconductor
CAT28C16AGI-20T
ON Semiconductor
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel