casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1LV0108ESF-5SR#B0
codice articolo del costruttore | R1LV0108ESF-5SR#B0 |
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Numero di parte futuro | FT-R1LV0108ESF-5SR#B0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LV0108ESF-5SR#B0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-TSOP (8x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LV0108ESF-5SR#B0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1LV0108ESF-5SR#B0-FT |
BR24C08-DS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C08-RDS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C08-WDS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C16-DS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C16-RDS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C16-WDS6TP
Rohm Semiconductor
BR25L010F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L010FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L010FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L020F-WE2
Rohm Semiconductor
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel