casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1LP0408DSB-5SI#S1
codice articolo del costruttore | R1LP0408DSB-5SI#S1 |
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Numero di parte futuro | FT-R1LP0408DSB-5SI#S1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LP0408DSB-5SI#S1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LP0408DSB-5SI#S1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1LP0408DSB-5SI#S1-FT |
W631GU6KB-12
Winbond Electronics
W631GU6KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GU6KB-15
Winbond Electronics
W631GU6KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU6KB12I
Winbond Electronics
W631GU6KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU6KB15I
Winbond Electronics
W631GU6KB15I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-09
Winbond Electronics
W632GG6KB-11
Winbond Electronics
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel