casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1LP0108ESN-7SI#S0
codice articolo del costruttore | R1LP0108ESN-7SI#S0 |
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Numero di parte futuro | FT-R1LP0108ESN-7SI#S0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LP0108ESN-7SI#S0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LP0108ESN-7SI#S0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1LP0108ESN-7SI#S0-FT |
BR24G08FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FV-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G16FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G256FV-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G256FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G32FV-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G32FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G64FV-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G64FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel