casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1LP0108ESA-5SI#S1
codice articolo del costruttore | R1LP0108ESA-5SI#S1 |
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Numero di parte futuro | FT-R1LP0108ESA-5SI#S1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LP0108ESA-5SI#S1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-sTSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LP0108ESA-5SI#S1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1LP0108ESA-5SI#S1-FT |
BR25G640FVM-3GTR
Rohm Semiconductor
BR25S640FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR93G56FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor
BR93G56FVM-3BGTTR
Rohm Semiconductor
BR93G56FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor
BR93G86FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor
BR93G86FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor
BR93L56RFVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR93L66RFVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR24S16F-WE2
Rohm Semiconductor
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel