casa / prodotti / Relè / Relè di potenza, oltre 2 amp / R10-E1Y6-V9.0K
codice articolo del costruttore | R10-E1Y6-V9.0K |
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Numero di parte futuro | FT-R10-E1Y6-V9.0K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | R10 |
R10-E1Y6-V9.0K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di relè | Socketable |
Tipo di bobina | 115VDC |
Bobina di corrente | 6PDT (6 Form C) |
Voltaggio della bobina | 3A |
Modulo di Contatto | 120VAC, 30VDC - Max |
Rating del contatto (corrente) | 12.8mA |
Tensione di commutazione | Non Latching |
Accensione Tensione (max) | - |
Spegnere la tensione (min) | Plug In |
Operare tempo | 86 VDC |
Tempo di rilascio | - |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | - |
Stile di terminazione | -55°C ~ 75°C |
temperatura di esercizio | Silver (Ag) |
General Purpose | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R10-E1Y6-V9.0K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R10-E1Y6-V9.0K-FT |
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A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGXEBBR3H43I3L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB5G4F35C4N
Intel