casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / QRF0630T30
codice articolo del costruttore | QRF0630T30 |
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Numero di parte futuro | FT-QRF0630T30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QRF0630T30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 110ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRF0630T30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QRF0630T30-FT |
MSCD165-18
Microsemi Corporation
MSCD200-18
Microsemi Corporation
MSCD36-18
Microsemi Corporation
MSCD60-18
Microsemi Corporation
MSCD70-18
Microsemi Corporation
MSKD100-18
Microsemi Corporation
MSKD120-18
Microsemi Corporation
MSKD165-18
Microsemi Corporation
MSKD200-18
Microsemi Corporation
MSKD36-18
Microsemi Corporation
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation