codice articolo del costruttore | QRE1113 |
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Numero di parte futuro | FT-QRE1113 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QRE1113 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Distanza di rilevamento | 0.197" (5mm) |
Metodo di sensing | Reflective |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Tipo di uscita | Phototransistor |
Tempo di risposta | 20µs, 20µs |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRE1113 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QRE1113-FT |
GP2S27TJ000F
Sharp Microelectronics
GP2S24CJ000F
Sharp Microelectronics
GP2S24BJ000F
Sharp Microelectronics
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics
GP2S24ABJ00F
Sharp Microelectronics
GP2S24
Sharp Microelectronics
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics
GP2L26
Sharp Microelectronics
GP2L24
Sharp Microelectronics
GP2L24J0000F
Sharp Microelectronics
AGL400V2-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-CQ352M
Microsemi Corporation
APA075-PQ208
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
EP3SE50F780I4L
Intel