codice articolo del costruttore | QRE1113 |
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Numero di parte futuro | FT-QRE1113 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QRE1113 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Distanza di rilevamento | 0.197" (5mm) |
Metodo di sensing | Reflective |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Tipo di uscita | Phototransistor |
Tempo di risposta | 20µs, 20µs |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRE1113 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QRE1113-FT |
GP2S27TJ000F
Sharp Microelectronics
GP2S24CJ000F
Sharp Microelectronics
GP2S24BJ000F
Sharp Microelectronics
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics
GP2S24ABJ00F
Sharp Microelectronics
GP2S24
Sharp Microelectronics
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics
GP2L26
Sharp Microelectronics
GP2L24
Sharp Microelectronics
GP2L24J0000F
Sharp Microelectronics
XCV405E-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110DF27I7N
Intel
10AX048H2F34I2SG
Intel
5SGXMA7K2F35I2N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153I7G
Intel
EP2S90F1508C3N
Intel
EP20K400EBC652-1N
Intel
5CGXFC3B7U15C8N
Intel